| 发明名称 | 以上电极作为保护层的Cu<SUB>x</SUB>O电阻存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成的上电极作为保护层的Cu<SUB>x</SUB>O电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线，在铜引线上方形成的第一介质层和在第一介质层中形成的孔洞，位于孔洞底部的铜氧化形成的Cu<SUB>x</SUB>O存储介质，以自对准方式形成于所述的Cu<SUB>x</SUB>O存储介质之上和所述的介质层孔洞之中的金属上电极。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层作为Cu<SUB>x</SUB>O存储介质的保护层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，可避免制作过程中的工艺步骤导致存储器件电阻波动和不均匀，提高可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101118922A | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200710045407.6 | 申请日期 | 2007.08.30 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 林殷茵;陈邦明;唐立 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L45/00(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1.一种与铜互连工艺集成的CuxO电阻存储器，其特征在于包括下电极，为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线；在所术铜引线上方形成的第一介质层和在第一介质层中形成的孔洞；位于所述孔洞底部的铜氧化形成的CuxO存储介质，1＜x≤2，以及以自对准方式形成于所述的CuxO存储介质之上和所述的介质层孔洞之中的金属上电极。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||