| 发明名称 | 电子器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种电子器件，在设有通路孔(108)的第3绝缘膜(含碳的硅氧化膜)(106)中，密度或碳浓度在厚度方向上连续变化。从而在将含碳的硅氧化膜用做布线间绝缘膜的电子器件中可以防止布线结构等的不良。 | ||
| 申请公布号 | CN100367495C | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN03154939.X | 申请日期 | 2003.08.22 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社;三菱电机株式会社 | 发明人 | 汤浅宽;佐竹哲郎;松浦正纯;后藤欣哉 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/532(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种电子器件，其特征在于：具有含有硅及碳的第1绝缘膜和形成在所述第1绝缘膜上的孔，所述第1绝缘膜的密度，在厚度方向连续变化。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||