| 发明名称 | 防止掺杂剂自源极/漏极延伸部向外扩散的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种改善晶体管性能的半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造是通过离子注入(31)将掺杂剂注入氧化物衬垫(30)以防止或充分减少掺杂剂自源极/漏极的浅层延伸部(23)扩散出来。具体实施例包含离子注入P型掺杂剂，例如B或BF<SUB>2</SUB>，使用栅极电极(21)作为掩膜，形成源极/漏极的浅层延伸部(23)，沉积共形的氧化物衬垫(30)，并以基本上与源极/漏极的浅层延伸部(23)相同的掺杂剂浓度，通过离子注入(31)将P型杂质注入氧化物衬垫(30)。后续工艺包含沉积间隔层，进行蚀刻形成侧壁间隔(40)，进行离子注入形成深层中等或高浓度的源极/漏极注入物(41)，以及激活退火(activation annealing)。 | ||
| 申请公布号 | CN100355046C | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN03806763.3 | 申请日期 | 2003.03.13 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | A·C·韦;M·B·菲赛利耶;叶秉津 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在衬底(20)上表面上形成具有侧表面的栅极电极(21)，在该衬底(20)与该栅极电极(21)之间有栅极介电层(22)；通过离子注入将掺杂剂注入衬底(20)，并使用栅极电极(21)作为掩膜，形成源极/漏极的浅层延伸部(23)；在该栅极电极(21)的侧表面与该衬底(20)的上表面上形成氧化物衬垫(30)；以及通过离子注入将掺杂剂注入该氧化物衬垫(30)，其中该掺杂剂是N型杂质或P型杂质。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||