发明名称 | 包括伪单元的闪存存储设备 | ||
摘要 | 非易失性半导体存储设备,包括连接到位线的串选择晶体管。该设备还包括串联到串选择晶体管的多个存储单元,其中至少一个存储单元被配置为在多个存储单元的擦除过程中处于编程状态。 | ||
申请公布号 | CN101079321A | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
申请号 | CN200710128829.X | 申请日期 | 2007.01.09 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜相求 |
分类号 | G11C16/02(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C29/00(2006.01) | 主分类号 | G11C16/02(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽 |
主权项 | 1、一种非易失性半导体存储设备,包括:连接到位线的串选择晶体管;以及串联相接到串选择晶体管的多个存储单元,其中该存储单元中的至少一个被配置为在多个存储单元的擦除期间处于编程状态。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |