| 发明名称 | 离子注入模拟方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种离子注入模拟方法，包括：首先，得到不同离子注入剖面的实测注入离子分布曲线；然后，利用TCAD工具，设定模拟函数，拟合所述注入离子分布曲线，得到注入离子分布模拟基础曲线，并获得模拟基础数据；从模拟基础数据中提取模拟参数，通过模拟运算，获得模拟参数数据系列，形成离子注入参数矩阵；利用离子注入参数矩阵，模拟不同离子注入过程，获得注入离子分布系列曲线；最后，通过所述注入离子分布系列曲线得出离子注入参数的变化对注入离子在材料内分布的影响规律。应用本发明方法可提供离子注入工艺控制窗口，优化离子注入工艺设计；同时，减少了模拟运行的时间，提高了工艺设计及生产运行的效率，降低了研发成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101079375A | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN200610026759.2 | 申请日期 | 2006.05.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李家豪;李素萍;刘巍;赵猛 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01);H01L21/425(2006.01);H01L21/66(2006.01);C30B31/22(2006.01);H01J37/317(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种离子注入模拟方法，其特征在于，包括：a.得到不同离子注入剖面的实测注入离子分布曲线；b.利用TCAD工具，设定模拟函数，拟合所述注入离子分布曲线，得到注入离子分布模拟基础曲线，并获得模拟基础数据；c.从模拟基础数据中提取模拟参数基础数据，利用内插法，获得模拟参数数据系列，形成离子注入参数矩阵；d.利用离子注入参数矩阵，模拟不同离子注入过程，获得注入离子分布系列曲线。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||