发明名称 |
半导体元件驱动装置、电力变换装置和电机驱动装置及方法 |
摘要 |
本发明提供一种能够在发生因串联连接IGBT(3、4)的连接点(7)的dV/dt导致的误动作时,避免上下臂短路等事故的高可靠性IGBT驱动装置。高低压侧IGBT(3、4),隔着无感时间被互补地导通/关断控制。这些无感时间期间中,例如按照如下的要领,产生使高压侧IGBT(3)关断的复位脉冲RS。(1)在低压侧IGBT(4)的导通指令LD近前,(2)以具有从低压侧IGBT4的导通指令LD的近前起,与该导通指令LD重叠的期间td的方式,(3)在无感时间DT期间中持续,(4)在低压侧IGBT(4)成为导通之前的无感时间期间中持续,(5)在观测到高压侧IGBT(3)的导通状态时,将低压侧IGBT的导通指令置为无效的方式,来产生复位脉冲。 |
申请公布号 |
CN101079583A |
申请公布日期 |
2007.11.28 |
申请号 |
CN200710105170.6 |
申请日期 |
2007.05.24 |
申请人 |
株式会社日立制作所 |
发明人 |
山口浩二;樱井直树 |
分类号 |
H02M7/48(2006.01);H02M7/515(2007.01);H02M7/537(2006.01);H02P27/00(2006.01) |
主分类号 |
H02M7/48(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1.一种半导体元件驱动装置,其中,具备:两个半导体元件,串联连接在主电源端子间;低压侧驱动电路,以上述两个半导体元件中低压侧的接地电位为基准驱动低压侧半导体元件;高压侧驱动电路,以上述半导体元件的串联连接点的电位为基准电位,驱动高压侧半导体元件;脉冲生成电路,以上述低压侧半导体元件的接地电位为基准电位,生成作为上述高压侧半导体元件的导通指令及关断指令的置位脉冲信号及复位脉冲信号;以及,电平移位电路,将上述置位脉冲信号及复位脉冲信号,往以上述串联连接点的电位为基准电位的高压侧实施电平移位,并往上述高压侧驱动电路传递,该半导体元件驱动装置,对上述两个半导体元件,隔着双方均为关断的无感时间互补地进行导通/关断,上述脉冲生成电路,具备在上述无感时间期间中产生上述复位脉冲的电路机构。 |
地址 |
日本东京都 |