有机金属化合物及其制备方法

摘要

本发明涉及式LML′表示的有机金属化合物、制备所述有机金属化合物的方法以及由所述有机金属化合物制备薄膜或涂层的方法，其中M为金属或准金属，L为取代或未取代的环戊二烯基或类环戊二烯基、取代或未取代的戊二烯基或类戊二烯基或取代或未取代的吡咯基或类吡咯基，L′为取代或未取代的吡咯基或类吡咯基。所述有机金属化合物在半导体应用中用作薄膜淀积的化学蒸气或原子层淀积前体。

主权项

1.一种式LML′表示的有机金属化合物，其中M为金属或准金属，L为取代或未取代的环戊二烯基、取代或未取代的类环戊二烯基、取代或未取代的戊二烯基、取代或未取代的类戊二烯基、取代或未取代的吡咯基或取代或未取代的类吡咯基，L′为取代或未取代的吡咯基或取代或未取代的类吡咯基，条件是(i)当L和L′均为完全取代的吡咯基时，则至少一个吡咯基取代基不是甲基；(ii)当L和L′均为取代的吲哚基时，则至少一个吲哚基取代基不是氢或甲基；(iii)当L为未取代的环辛基且L′为取代的吡咯基时，则至少一个吡咯基取代基不是甲基；(iv)当L为未取代的环辛基且L′为取代的吲哚基时，则至少一个吲哚基取代基不是氢或甲基；和(v)当L为取代的环己二烯基且L′为取代的吡咯基时，则至少一个吡咯基取代基不是甲基。