| 发明名称 | 一种氧化硅介孔晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化硅介孔晶体及其制备方法。该氧化硅介孔晶体的孔道截面具有椭圆特征，孔道排列结构为四方晶系的p2gg，孔径为3～4nm，比表面积为800～1200m<SUP>2</SUP>/g，晶体呈现出飞碟状外形，直径为0.1～2μm。该氧化硅介孔晶体通过阳离子表面活性剂的结构导向作用，以有机硅烷作为氧化硅材料源在碱性条件下合成而出。其在生物制药、工业催化、电子信息等领域有着广泛的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101077778A | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN200710042885.1 | 申请日期 | 2007.06.28 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 车顺爱;邱惠斌 |
| 分类号 | C01B33/18(2006.01);C01B39/00(2006.01) | 主分类号 | C01B33/18(2006.01) |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 罗荫培 |
| 主权项 | 1.一种氧化硅介孔晶体，其特征在于结构特征如下： 孔道截面具有椭圆特征，孔道排列结构为四方晶系的p2gg，孔径为3～4nm， 比表面积为800～1200m<sup>2</sup>/g，晶体呈现出飞碟状外形，直径为0.1～2μm。 | ||
| 地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 | ||