| 发明名称 | 强电介质存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在纯缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN100352039C | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN200510052587.1 | 申请日期 | 2001.08.21 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 长谷川和正;名取荣治;西川尚男;小口幸一;下田达也 |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01);H01L27/105(2006.01);G11C11/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在绝缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||