| 发明名称 | 半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 提出了一种半导体存储器件，包括：多个有源区，在半导体衬底中以带状形成；多条字线，以相等的间隔排列以便与有源区交叉；多个单元接触部，包括在有源区中沿其纵向在中心部分形成的第一单元接触部，和沿纵向在两端处的每一端部形成的第二单元接触部；位线接触部，形成于第一单元接触部上；位线，对其布线使得在位线接触部上穿过；存储节点接触部，形成于第二单元接触部上；存储节点接触焊盘，形成于存储节点接触部上；以及存储电容器，形成于存储节点接触焊盘上。存储节点接触部的中心位置相对于第二单元接触部的中心位置沿规定方向偏移。存储节点接触焊盘的中心位置相对于存储节点接触部的中心位置沿规定方向偏移。 | ||
| 申请公布号 | CN101055871A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200710091796.6 | 申请日期 | 2007.04.11 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 莲沼英司 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/482(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；多个有源区，在半导体衬底中以带状形成；多条字线，以相等的间隔排列以便与有源区交叉；多个单元接触部，包括在有源区中沿其纵向在中心部分形成的第一单元接触部，和沿纵向在两端处的每一端部形成的第二单元接触部；位线接触部，形成于第一单元接触部上；位线，对其布线使得在位线接触部上穿过；存储节点接触部，形成于第二单元接触部上；存储节点接触焊盘，形成于存储节点接触部上；以及存储电容器，形成于存储节点接触焊盘上，其中，存储节点接触部的中心位置相对于第二单元接触部的中心位置沿规定方向偏移，以及存储节点接触焊盘的中心位置相对于存储节点接触部的中心位置沿规定方向偏移。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||