| 发明名称 | 无定形氧化物和场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 提供了一种新颖的无定形氧化物，其可用于例如TFT的有源层。该无定形氧化物包含微晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN101057339A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200580038273.4 | 申请日期 | 2005.11.09 |
| 申请人 | 佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学 | 发明人 | 佐野政史;中川克己;细野秀雄;神谷利夫;野村研二 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/428(2006.01);H01L21/363(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种无定形氧化物，包括微晶体，并且电子载流子浓度低于1018/cm3。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||