制造双层多晶硅存储器元件的方法

摘要

本发明提供一种制造双层多晶硅一次性可编程(OTP)存储器的方法，包括以下步骤：在硅衬底上用常规的硅局部氧化(LOCOS)氧化隔离法形成多个区域；用双栅氧(DGO)方法热生长两种不同厚度的栅氧化层；淀积第一多晶硅层；在存储器元件区域内蚀刻第一多晶硅以形成存储器元件的浮栅，存储器元件区域外的第一多晶硅层不动；在第一多晶硅层上淀积一氧化物/氮化物/氧化物(ONO)层；淀积第二多晶硅层；蚀刻掉存储器元件和电容器元件对应的区域以外的所有第二多晶硅层和ONO层以形成存储器元件的控制栅以及电容器元件的上电极，然后再蚀刻被再次暴露出来的第一多晶硅层来定义对应CMOS数模混合电路区域的多晶硅栅极。该方法在双层多晶硅的使用和安排次序上作了更合理的调整，从而更好地控制栅氧化层的质量和完整性。

主权项

1.一种制造双层多晶硅一次性可编程存储器元件的方法，包括以下步骤：a)采用硅局部氧化工艺在硅衬底上形成多个隔离区域，所述区域对应多个元件；b)采用双栅氧工艺在所述衬底上用热生长方法形成两种不同厚度的栅氧化层，以用作高压MOS器件的厚栅氧化层以及存储器和CMOS数模混合电路的薄栅氧化层；c)在所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上淀积第一多晶硅层；d)蚀刻所述第一多晶硅层上对应存储器元件的区域，以形成存储器悬浮多晶硅栅电极；其余区域上的第一多晶硅层保留不动；e)在所述第一多晶硅层上淀积一氧化物/氮化物/氧化物层；f)在所述氧化物/氮化物/氧化物层上淀积第二多晶硅层，并在该第二多晶硅层上淀积一薄的氧化层，该薄的氧化层仅仅为了蚀刻；g)蚀刻所述第二多晶硅层以及其下面的氧化物/氮化物/氧化物层，以形成存储器元件的控制栅电极和形成组成电容器上电极板的多晶硅栅电极，同时也暴露尚未图形化的CMOS数模混合电路对应区域的第一多晶硅层；h)蚀刻对应CMOS数模混合电路区域的所述第一多晶硅层，以形成CMOS数模混合电路元件的多晶硅栅电极。