一种Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>单晶低维纳米材料可控掺杂的方法

摘要

一种有机前驱体共热解实现Si₃N₄单晶低维纳米材料均匀可控掺杂新方法，其包括以下具体步骤：(1)球磨混合：将两种有机前驱体聚硅氮烷和异丙醇铝按不同比例行星球磨混合均匀；(2)低温交联固化：混合均匀后进行交联固化，得到非晶态固体；(3)高能球磨粉碎：将非晶态固体装入尼龙树脂球磨罐中，引入催化剂，在高能球磨机中进行干法球磨粉碎；(4)高温热解：高能球磨后的混合物进行高温热解。与传统掺杂方法不同，这种新方法通过简单调控两种有机前驱体的比例，可以实现在分子水平上对Si₃N₄单晶低维纳米材料均匀掺杂的调控和设计，从而实现对Si₃N₄单晶低维纳米材料光电等性能的调控。这种方法有望成为实现单晶低维纳米材料可控掺杂的一种普适方法。

主权项

1、一种Si3N4单晶低维纳米材料可控掺杂的新方法，其包括以下具体步骤：1)球磨混合：将原料两种有机前驱体聚硅氮烷和异丙醇铝按不同比例置于球磨罐中行星球磨混合均匀；2)低温交联固化：有机前驱体球磨混合均匀后在保护气氛下在一定温度下进行交联固化，得到非晶态固体；3)高能球磨粉碎：将非晶态固体装入尼龙树脂球磨罐中在高能球磨机中进行干法球磨粉碎，球磨的同时引入催化剂，使得非晶态粉末与催化剂混合均匀；4)高温热解：高能球磨后的混合物进行高温热解，在一定热解温度于保护气氛下热解一定时间即可得到具有不同掺杂量的单晶低维纳米材料。