| 发明名称 | 具有自对准硅化物和外基极的双极晶体管 | ||
| 摘要 | 一种双极晶体管及制作晶体管的方法，其中晶体管包括基片(10)中的集电极(12)、位于集电极上的内基极(14)、与内基极相邻的外基极、位于内基极上的发射极(130)。从横切面看，外基极包括与内基极相邻的外基极注入区(82、172、192)。晶体管通过对基极上方的基片上发射极下部构图形成发射极基座(50)而形成。在不受发射极基座保护的区域内形成外基极。随后，形成发射极、相关联的分隔件(180)和硅化物区(220)。硅化物、外基极和发射极都彼此自对准。 | ||
| 申请公布号 | CN101057328A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200580038284.2 | 申请日期 | 2005.11.10 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 玛瓦恩·H.·卡特;弗朗索瓦·帕杰蒂 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01);H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L27/082(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种双极晶体管，包括：基片(10)；所述基片内的集电极(12)；所述集电极上的内基极(14)；邻近所述内基极的外基极；以及所述内基极上的发射极(130)，其中从横切面看，所述外基极包含邻近所述内基极的外基极注入区(82、172、192)。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||