| 发明名称 | 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法 | ||
| 摘要 | 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在一定500-1050℃温度范围通入载气N<SUB>2</SUB>，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500-1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700-900℃和600-800℃生长层厚分别为15-20nm和5-15nm的5-10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。 | ||
| 申请公布号 | CN100344006C | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200510094747.9 | 申请日期 | 2005.10.13 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 谢自力;张荣;韩平;刘成祥;周圣明;修向前;刘斌;李亮;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人 | 汤志武 |
| 主权项 | 1、一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，其特征是先在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，然后或通入氨气进行表面氮化，再在500-1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度参数，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500-1050℃生长N型层m面GaN；再分别以700-900℃和600-800℃生长层厚分别为15-20nm和5-15nm的5-10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN，构成LED器件结构；并对该结构在600-800℃温度以0.1-1小时退火时间进行退火激活。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||