METHOD FOR DETERMINING A DOPANT CONCENTRATION IN A SEMICONDUCTOR SAMPLE

摘要

Beschrieben wird ein Verfahren zur Ermittlung einer Dotierstoffdichte an einer Oberfläche und/oder in einem oberflächennahen Schichtbereich einer Halbleiterprobe mit einem Rasterkraftmikroskop, dessen Blattfederspitze unter Ausbildung einer Schottky-Barriere in Kontakt mit der Halbleiterprobe gebracht wird, wobei im Bereich der Schottky-Barriere zwischen der Blattfederspitze und der Halbleiterprobe ein elektrisches Wechselpotential derart angelegt wird, dass eine die räumliche Ausdehnung der Schottky-Barriere bestimmende Raumladungszone innerhalb der Halbleiterprobe bezüglich ihrer räumlichen Ausdehnung zu Schwingungen angeregt wird, die auf die Blattfeder übertragen, detektiert und der Ermittlung der Dotierstoffdichte zugrunde gelegt werden.