Bildsensor, Sensorarray, Sensorsystem und Herstellungsverfahren

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf einen Bildsensor mit einem Feld photoelektrischer Wandlerelemente (PA_u1, PA_u2) in einem Substrat, die in Zeilen und Spalten angeordnet sind, auf ein entsprechendes photoelektrisches Wandlerelementfeld, auf ein Bildsensorsystem mit einem derartigen Bildsensor und auf ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bildsensors. Erfindungsgemäß sind eine Mehrzahl erster und zweiter Übergangsisolationsbereiche (JIR) im Substrat zur Isolierung von Seitenbereichen bneachbarter photoelektrischer Wandlerelemente einer Zeile bzw. Spalte sowie eine Mehrzahl dielektrischer Isolationsbereiche (DIR) im Substrat vorgesehen, um Eckbereiche benachbarter photoelektrischer Wandlerelemente zu isolieren. Verwendung in der Halbleiter-Bildsensortechnik.