降低磷化镓单晶尾部位错的方法

摘要

一种降低磷化镓单晶尾部位错的方法，其方法如下：降低籽晶杆50-300mm/h，籽晶充分预热后使籽晶接触熔体；调整温度以使固液交界面的光圈大小稳定；在触接时间大于10分钟后开始降温；当固液界面的固相开始长大时，拉晶；随着晶体的长大调整温度来控制晶体的生长速度；当浮舟转速达到2.9秒/转时，第一次脱针；控制浮舟转速在3.2秒/转以上，第二次脱针；等径控制；在单晶生长将结束2小时，缓慢升温；当晶体生长到尾部浮舟落底且保持固液交界面不出现结晶现象时，停止坩埚随动上升；保持原拉速不变，进行1～2小时的拉晶；然后使晶体缓慢地脱离熔体和脱离氧化硼，直至晶体离开氧化硼以上50mm处停止；逐步降温，直至1000℃时放气，使氧化硼发泡；再继续降到常温。

主权项

1、一种降低磷化镓单晶尾部位错的方法，其特征在于方法步骤如下：1)降低籽晶杆50-300mm/h，籽晶充分预热后使籽晶接触熔体；2)当籽晶和熔体接触后，调整温度以使固液交界面的光圈大小稳定；3)在触接时间大于10分钟后开始降温；4)当固液界面的固相开始长大时，拉晶；5)随着晶体的长大调整温度来控制晶体的生长速度；6)当浮舟转速达到2.9秒/转时，先稳定一下温度，第一次脱针；7)控制浮舟转速在3.2秒/转以上，第二次脱针；8)等径控制；9)在磷化镓单晶生长将结束前1～2小时始，缓慢升温，升温速率0.1℃/min～0.4℃/min，连续升温10℃-30℃；10)当晶体生长到尾部浮舟落底且保持固液交界面不出现结晶现象时，停止坩埚随动上升；11)保持原拉速不变，进行1～2小时的拉晶；12)然后使晶体缓慢地脱离熔体和脱离氧化硼，直至晶体离开氧化硼以上50mm处停止；逐步降温，直至1000℃时放气，使氧化硼发泡；再继续降到常温。