防止多晶微米级功能部件之间桥接的方法

摘要

一种防止或者至少降低相邻微米级多晶结构之间的桥接(20)的可能性，尤其是减少微电路的相邻喷涂金属导线之间的短路的方法。该方法一般需要形成包含一层多晶层(12)和至少一层约束层(14)的多层结构，随后对多层结构加工图案，形成第一线路(16)和宽度小于第一线路的第二线路(18)。第一线路具有与第二线路的图案边缘(26)间隔一定距离的图案边缘(24)，以致第一和第二线路彼此电绝缘。然后形成一个或多个与第一线路相连的功能部件，如果后来沿第一线路的图案边缘发生过度横向晶粒生长，则所述功能部件防止第一和第二线路之间的桥接。

主权项

1、一种在衬底上形成金属层的方法，包括下述步骤：在衬底上形成包括一层多晶导电层(12)和至少一层约束层(14)的多层结构；和对多层结构加工图案，形成构成金属焊盘的第一结构(16)和构成细金属线的第二结构(18)，从而第一结构具有与第二结构的图案边缘(26、36)间隔一定距离的图案边缘(24、34)，以致第一和第二金属结构彼此电绝缘，并且第二结构的宽度小于第一结构的宽度，当加热时不可能在第二结构中开始晶粒生长，所述加工图案步骤产生防止第二结构的图案边缘和沿着第一结构的图案边缘从多晶层向第二结构横向生长的晶粒(28、38)之间的接触的装置，所述加工图案步骤包括以下的至少其中之一：构成一个位于第一结构和第二结构之间、并与它们间隔一定距离的虚设结构(32)，所述虚设结构与第一结构和第二结构的间距小于或等于多晶层的平均晶粒尺寸；在第一结构的图案边缘形成齿状物(42)，所述齿状物伸向第二结构，并且与其余图案边缘部分相比更接近于第二结构；使第一结构的图案边缘形成阶梯状，从而第一结构在图案边缘的相对端部具有隅角区，隅角区与其间的图案边缘的其余部分相比更接近于第二结构。