| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 形成第一层间绝缘膜，然后在其上形成SiO<SUB>2</SUB>覆盖膜，并通过进行热处理去除第一层间绝缘膜和SiO<SUB>2</SUB>覆盖膜中的湿气。然后，在SiO<SUB>2</SUB>覆盖膜上形成Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>膜。随后，在氧化气氛中在Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>膜上进行热处理，从而加速其表面的氧化。然后，在Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>膜上，形成并图形化铂膜、PLZT膜和IrO<SUB>2</SUB>膜，从而形成包括上电极、容量绝缘膜和下电极的铁电电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN100334736C | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200410059367.7 | 申请日期 | 2004.06.18 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 松浦克好;能代英之;土手晓 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 经志强;潘培坤 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：一层间绝缘膜，其具有平面化的表面；一氧化硅膜，其形成于所述层间绝缘膜上；一氧化铝膜，其形成于所述氧化硅膜上；以及一平面结构类型的铁电电容器，其形成于所述氧化铝膜上，所述铁电电容器的下电极的整个下表面都与所述氧化铝膜接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||