发明名称 | 发光二极管结构 | ||
摘要 | 根据本发明的一个方面,包括有源芯层和具有第一折射率的至少一个基板层的发光二极管(LED)结构,在结构内包括二维光子准晶体。该光子准晶体包括具有第二折射率的区域阵列,该阵列表现出长程有序性而短程无序性。该长程有序性与该结构的衍射特性有关,且产生从LED射出的均匀的远场衍射图案。本发明具有的益处是,可以提高从LED提取的光提取效率而不会导致不理想的远场照明图案。 | ||
申请公布号 | CN101027782A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
申请号 | CN200580032013.6 | 申请日期 | 2005.09.20 |
申请人 | MESO光子学有限公司 | 发明人 | 马吉德·祖罗布;约翰·林肯 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
主权项 | 1.一种发光二极管(LED)结构,包括有源芯层和具有第一折射率的至少一个基板层,所述结构包括在所述基板层内的二维光子准晶体,所述光子准晶体包括具有第二折射率的区域阵列,所述阵列表现出长程有序性以及短程无序性。 | ||
地址 | 英国南安普敦 |