发明名称 | 半导体装置及写入方法 | ||
摘要 | 一种半导体装置,包括:包含具有多个不同阈值的多级存储单元的存储单元阵列;用于锁存多字写入信息的第一锁存电路;根据所述多级存储单元的各个级别将所述多字输入信息转换为写入信息加以锁存的第二锁存电路;根据所述写入信息,以组为单位对应可同时编程的存储单元数将信息写入所述多级存储单元的写入电路;以及控制编程所述存储单元阵列的控制电路。将多字输入信息分为组后再以组为单位进行同时编程,有利于大大缩短以字为单位的编程周期。即使在编程多级存储单元中需要多次重复执行编程和验证操作,也不会增加编程周期。 | ||
申请公布号 | CN101027728A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
申请号 | CN200480044076.9 | 申请日期 | 2004.07.30 |
申请人 | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 | 发明人 | 山田重和 |
分类号 | G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
主权项 | 1.一种半导体装置,包括:第一锁存电路,用于锁存多字写入信息,其中,以多级存储单元的各级数为单位将多字输入信息转换为多字写入信息;以及写入电路,在与可同时写入的存储单元数目对应的组中,分别将所述多字写入信息写入至所述多级存储单元。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |