| 发明名称 | 制备双金属栅器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备MOS晶体管(10)的方法，所述晶体管(10)包含由异种金属制成的双金属栅。例如HfO<SUB>2</SUB>的栅介质(34)被沉积在半导体衬底(31)上。然后在栅介质(34)上方沉积牺牲层(35)。图案化牺牲层(35)，使得衬底(31)的第一区域(例如，pMOS)上方的栅介质(34)露出，并且衬底(31)的第二区域(例如，nMOS)(33)上方的栅介质(34)仍受到牺牲层(35)的保护。第一栅导体材料(51)被沉积在保留的牺牲层区域(35)的上方和暴露的栅介质(34)的上方。图案化第一栅导体材料(51)，使得衬底(31)的第二区域(33)的上方的第一栅导体材料(51)被蚀刻去除。当第一栅导体材料(51)被去除时，第二区域(33)上方的牺牲层(35)防止下层的介质材料(34)受到破坏。 | ||
| 申请公布号 | CN101027771A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200480008378.0 | 申请日期 | 2004.02.13 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 戴维·吉尔默;斯瑞卡恩斯·B.·萨曼维达姆;飞利浦·J.·托宾 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有表面并具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在第一区域上方和第二区域上方的表面上形成栅介质；在栅介质上方形成牺牲层；图案化牺牲层，使得第一区域上方的栅介质露出，并且剩余的牺牲层保护第二区域上方的栅介质；在露出的栅介质上方和在剩余的牺牲层上方沉积第一栅导体材料；图案化第一栅导体材料，使得剩余的牺牲层露出；去除剩余的牺牲层，从而露出第二区域上方的栅介质；以及在图案化的第一栅导体材料上方和在由于图案化第一栅导体材料而露出的栅介质上方沉积第二栅导体材料。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||