| 发明名称 | 基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法 | ||
| 摘要 | 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1－10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO<SUB>2</SUB>层(23)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2－7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO<SUB>2</SUB>层(26)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2－7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8－20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。 | ||
| 申请公布号 | CN101026194A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200710021060.1 | 申请日期 | 2007.03.23 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 陈坤基;吴良才;王久敏;余林蔚;李伟;徐骏;丁宏林;张贤高;刘奎;王祥;徐岭;黄信凡 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人 | 汤志武;王鹏翔 |
| 主权项 | 1、基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1-10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，其特征是在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2-7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2 层(26)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2-7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8-20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||