利用氢化物汽相外延方法在硅衬底上生长GaN薄膜

摘要

利用氢化物气相外延法和低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量GaN薄膜，在HVPE生长系统或MOCVD系统中，先在较低的400-800℃温度条件下在Si衬底上，以氨气和HCl为气源，生长一层GaN，然后在高温下如1000-1100℃持续生长GaN。低温下生长的GaN层，阻止了氨气对Si衬底的氮化以及高温下Si和HCl的反应，从而使得后续生长的GaN具有较高的质量。

主权项

1、利用氢化物气相外延法和低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量GaN薄膜，其特征是在HVPE生长系统中，先在400-800℃温度条件下，在Si衬底上以氨气和HCl为气源，生长时间为40-90秒，气体流量为：NH3流量为600sccm，氨气载气流量为600sccm，HCl流量为10sccm，HCl载气流量为20sccm，总氮气流量为3000sccm/生长一层GaN，然后在1000-1100℃高温下持续生长GaN。