| 发明名称 | CMOS工艺兼容的相对湿度传感器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于检测湿度的CMOS工艺兼容相对湿度传感器，由衬底，氧化层，电容下极板，电容上极板组成，氧化层设在衬底上，电容下极板平铺于氧化层上，电容上极板位于衬底和氧化层的上方；本发明具有制作方法和结构非常简单，温度漂移小，抗干扰能力强，有效降低生产成本，具有响应迅速，有利于后续电子电路的检出等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1327215C | 申请公布日期 | 2007.07.18 |
| 申请号 | CN200510038023.2 | 申请日期 | 2005.03.08 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 彭韶华;黄庆安;秦明;张中平 |
| 分类号 | G01N27/22(2006.01);G01N27/00(2006.01) | 主分类号 | G01N27/22(2006.01) |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陆志斌 |
| 主权项 | 1、一种用于检测湿度的CMOS工艺兼容相对湿度传感器，由衬底(1)，氧化层(2)，电容下极板(3)，电容上极板(4)组成，氧化层(2)设在衬底(1)上，其特征在于电容上极板(4)设在氧化层(2)上，在电容上极板(4)上的与氧化层(2)相接触的表面上设有条形沟槽，上述电容下极板(3)设在条形沟槽内且置于氧化层(2)上。 | ||
| 地址 | 210096江苏省南京市四牌楼2号 | ||