| 发明名称 | 低介电常数半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造低介电常数半导体的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一金属层；构图第一金属层，以形成构图的第一金属布线；在构图的第一金属布线上施加第一绝缘材料以形成支撑结构；通过接触印刷工艺构图第一绝缘材料；在支撑结构上沉积较低介电常数的第二绝缘材料；平面化第二绝缘材料；在平面化的第二绝缘材料上沉积抛光停止膜层，以形成多个金属柱；在抛光停止膜层上沉积第二金属层，以形成与所述柱的互连；以及构图金属层，以形成通过金属柱互连到第一金属布线的第二金属布线。 | ||
| 申请公布号 | CN1327509C | 申请公布日期 | 2007.07.18 |
| 申请号 | CN200510063003.0 | 申请日期 | 2005.04.01 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | L·克莱文杰;L·徐;T－D·袁;C·蒂贝格 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L23/532(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种制造低介电常数半导体的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一金属层；构图所述第一金属层以形成构图的第一金属布线；通过接触印刷在所述构图的第一金属布线上形成支撑结构，其中所述支撑结构是介电常数为K1的低介电常数的第一绝缘材料；构图所述支撑结构；在所述支撑结构上沉积低介电常数的第二绝缘材料，其中所述第二绝缘材料的介电常数为K2；平面化所述第二绝缘材料；在所述平面化的第二绝缘材料上沉积抛光停止膜层；在所述抛光停止膜层中形成多个金属柱；在所述抛光停止膜层上沉积第二金属层，以形成第二金属布线；以及构图所述第二金属层，以通过所述金属柱在所述第二金属布线和所述第一金属布线之间形成互连。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||