| 发明名称 | 半导体膜、半导体器件和它们的生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×10<SUP>20</SUP>/cm<SUP>3</SUP>－1×10<SUP>21</SUP>/cm<SUP>3</SUP>浓度的稀有气体元素，和1×10<SUP>15</SUP>/cm<SUP>3</SUP>－1×10<SUP>17</SUP>/cm<SUP>3</SUP>浓度的氟。 | ||
| 申请公布号 | CN1956150A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610144562.9 | 申请日期 | 2002.05.31 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 浅见勇臣;一条充弘;铃木规悦;大沼英人;米泽雅人 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/336(2006.01);C23C16/24(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造非晶半导体膜的方法，包括：将含有硅烷、稀有气体和氢气的起始气体中引入到膜形成室；产生所述起始气体的等离子体；和使用所述等离子体形成包含浓度为1×1018cm-3至1×1022cm-3的稀有气体元素的非晶半导体膜；其中所述非晶半导体膜包含浓度在1×1015cm-3至1×1017cm-3的氟。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||