| 发明名称 | 半导体处理室 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于半导体处理室的工艺配件。在一个实施例中，用于半导体处理室的工艺配件包括一个或者多个由不含金属的烧结碳化硅材料制成的部件。该工艺配件包括衬底支撑、预热环、提升销和衬底支撑销中的至少之一。在另一个实施例中，提供了一种半导体处理室，其具有室主体和布置在所述室主体中的衬底支撑。衬底支撑由不含金属的烧结碳化硅制成。任选地，处理室可以包括具有至少一个由不含金属的烧结碳化硅制成的部件的工艺配件。 | ||
| 申请公布号 | CN1956145A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610150712.7 | 申请日期 | 2006.10.24 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 克雷格·迈特则尔;佩－奥夫·汉松 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/687(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/324(2006.01);C23C16/458(2006.01);C30B25/12(2006.01);C30B33/02(2006.01);C30B33/12(2006.01);F27D5/00(2006.01);C04B35/565(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵飞 |
| 主权项 | 1.一种处理半导体衬底的装置，包括：工艺配件，其包括一个或者多个由不含金属的烧结碳化硅材料制成的部件。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||