发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von defektarmen selbstorganisierten nadelartigen Strukturen mit Nano-Dimensionen im Bereich unterhalb der üblichen Lichtwellenlängen mit großem Aspektverhältnis |
摘要 |
Mit Hilfe eines RIE-Standardätzverfahrens für Silizium wird ohne jegliche zusätzliche Strukturierungsmaßnahme (e-beam, Interferenzlithographie, o. a.) durch Selbstorganisation eine kristallfehlerfreie, nadelförmige Struktur mit großem Aspektverhältnis und mit Nanodimensionen auf der Oberfläche von Siliziumscheiben erzeugt, wodurch unter anderem eine breitbandige Entspiegelung erreicht wird, die eine vielfältige Verwendung finden kann.
|
申请公布号 |
DE102005048366(A1) |
申请公布日期 |
2007.04.19 |
申请号 |
DE200510048366 |
申请日期 |
2005.10.10 |
申请人 |
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG;TECHNISCHE UNIVERSITAET ILMENAU |
发明人 |
BACH, KONRAD;GAEBLER, DANIEL;FISCHER, MICHAEL;STUBENRAUCH, MIKE |
分类号 |
B82B3/00 |
主分类号 |
B82B3/00 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|