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经营范围
发明名称
Verfahren zur Herstellung von MOS-FET-Halbleiterelementen
摘要
申请公布号
DE19929239(B4)
申请公布日期
2007.04.19
申请号
DE1999129239
申请日期
1999.06.25
申请人
SIEMENS AG
发明人
STROBL, PETER
分类号
H01L21/336;H01L21/311;H01L21/768
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
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