| 发明名称 | 将多级单元快闪存储设备编程的方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种将多级快闪存储设备中的所选单元编程的方法，包括：确定是将所选存储单元的高位还是低位编程；检测存储在所选存储单元中的两个数据位的当前逻辑状态；确定高位或低位的目标逻辑状态；产生用于将高位或低位编程为目标逻辑状态的编程电压和验证电压；以及将所述编程电压和验证电压施加到与所选存储单元相连接的字线。 | ||
| 申请公布号 | CN1905069A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200610110022.9 | 申请日期 | 2006.07.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 孔载弼;郑宰镛 |
| 分类号 | G11C16/04(2006.01);G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 吕晓章;李晓舒 |
| 主权项 | 1.一种将包括多级存储单元的快闪存储设备编程的方法，该方法包括：确定是将所选存储单元的高位还是低位编程；检测存储在所选存储单元中的两个数据位的当前逻辑状态；确定高位或低位的目标逻辑状态；产生用于将高位或低位编程为目标逻辑状态的编程电压和验证电压；以及将所述编程电压和验证电压施加到与所选存储单元相连接的字线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||