发明名称 |
射频感性耦合等离子体源的平面法拉第屏蔽系统 |
摘要 |
本发明公开了一种用于射频感性耦合等离子体源的平面法拉第屏蔽系统,用于抑制射频感性耦合放电中的寄生容性耦合,解决脉冲工艺以及电负性气体放电时与容性耦合相关的瞬时阻抗匹配、放电不稳定性等问题。本发明的特征是法拉第屏蔽系统由内置平面法拉第屏蔽和内置引燃击穿两部分组成。法拉第屏蔽采用两片分立式,每片金属中的裂缝为梳状结构。引燃击穿电压由感性耦合天线取出,通过射频共振、控制网络加置在引燃电极上。一组永久磁钢构成的非平衡磁控位形增强引燃放电,并将引燃放电等离子体输运至感性耦合放电区。本发明提出的法拉第屏蔽系统具有能量效率高、耦合电流驻波效应小、等离子体密度角向均匀性好、易于起始击穿的优点。 |
申请公布号 |
CN1905777A |
申请公布日期 |
2007.01.31 |
申请号 |
CN200610200529.3 |
申请日期 |
2006.08.22 |
申请人 |
大连理工大学 |
发明人 |
丁振峰 |
分类号 |
H05H1/46(2006.01);H05H1/24(2006.01) |
主分类号 |
H05H1/46(2006.01) |
代理机构 |
大连理工大学专利中心 |
代理人 |
侯明远 |
主权项 |
1.一种射频感性耦合等离子体源的平面法拉第屏蔽系统,由屏蔽和引燃放电两部分组成,其特征是:屏蔽部分采用内置方式,由两个分立的半圆形铝金属片组成,每个圆片分别接地,金属裂缝为梳状结构。 |
地址 |
116024辽宁大连甘井子区凌工路2号 |