| 发明名称 | 三级非易失半导体存储器设备及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 一种用于非易失半导体存储器设备的页缓冲器，包含：开关，被配置来将耦合于第一存储器单元的第一比特线耦合到耦合于第二存储器单元的第二比特线；第一锁存块，耦合于第一比特线，并且被配置来将第一锁存数据传送给第一存储器单元；以及第二锁存块，耦合于第二比特线及第一锁存块，并且被配置来将第二锁存数据传送给第二存储器单元。 | ||
| 申请公布号 | CN1905072A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200610110018.2 | 申请日期 | 2006.07.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴起台;崔正达;曹成奎 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 吕晓章;李晓舒 |
| 主权项 | 1.一种用于非易失半导体存储器设备的页缓冲器，包含：开关，被配置来将耦合于第一存储器单元的第一比特线耦合到耦合于第二存储器单元的第二比特线；第一锁存块，耦合于第一比特线，并且被配置来将第一锁存数据传送给第一存储器单元；以及第二锁存块，耦合于第二比特线及第一锁存块，并且被配置来将第二锁存数据传送给第二存储器单元。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||