| 发明名称 | 改善浅沟隔离漏电的方法及浅沟隔离结构 | ||
| 摘要 | 一种改善浅沟隔离漏电的方法，其步骤包括：提供一半导体基底，且该半导体基底上形成有一垫层结构以及一沟槽；形成一掺杂的第一衬垫层于该沟槽的侧壁上；形成一第二衬垫层于该掺杂的第一衬垫层上；借由蚀刻移除部分的该第一衬垫层以及该第二衬垫层使该第一衬垫层的高度低于该第二衬垫层；形成一填充层于该垫层结构上以及填入该沟槽中；以及进行扩散使该第一衬垫层的掺杂离子扩散到该半导体基底中形成扩散区域于沟槽的底部两侧。 | ||
| 申请公布号 | CN1298041C | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN03136031.9 | 申请日期 | 2003.05.16 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 张明成;陈逸男;林正平 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种改善浅沟隔离漏电的方法，包括：提供一半导体基底，且该半导体基底上形成有一垫层结构以及一沟槽；形成一掺杂的第一衬垫层于该沟槽的侧壁上；形成一第二衬垫层于该掺杂的第一衬垫层上；借由蚀刻移除部分的该第一衬垫层以及该第二衬垫层使该第一衬垫层的高度低于该第二衬垫层；形成一填充层于该垫层结构上以及填入该沟槽中；以及进行扩散使该第一衬垫层的掺杂离子扩散到该半导体基底中形成扩散区域于沟槽的底部两侧。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||