一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器及制备方法

摘要

本发明是提供了一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器及其制备方法，其特征是它包括形状为阵列式结构的N个压力敏感元件锰铜薄膜2和无机材料封装薄膜4；该传感器采用全薄膜工艺制作。本发明的传感器，消除了封装材料的高压旁路效应，可使传感器的测试精度达到为3～5％，响应时间缩短为20～40ns；具有一次可以高精度、高可靠性地测量大面积的超高压力的特点。本发明的传感器主要用于测试强冲击波的压力，如主要应用在测量装甲、核武器爆炸冲击波的压力测量等国防领域中。

主权项

1、一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器，包括基板(1)、电极(3)、后置件(5)， 其特征是它还包括形状为阵列式结构的N个压力敏感元件锰铜薄膜(2)和无机 材料封装薄膜(4)，所述的阵列式结构是指由N个压力敏感元件锰铜薄膜(2) 均匀对称分布、且每个压力敏感元件锰铜薄膜(2)均连接四个电极(3)所构成 的结构；形状为阵列式结构的N个压力敏感元件锰铜薄膜(2)沉积在基板(1) 上面，再沉积N×4个电极(3)，然后在压力敏感元件锰铜薄膜(2)和电极(3) 的表面上沉积无机材料封装薄膜(4)，最后在无机材料封装薄膜(4)上面粘贴 后置件(5)，将整个传感器封装起来。