非挥发性存储器及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储器的制造方法，此方法先于基底中形成多个第一沟槽与第二沟槽，其中这些第二沟槽位于第一沟槽上面，且横越第一沟槽。然后，于第二沟槽的侧壁上依序形成电荷穿隧层与电荷储存层。接着，于第一沟槽中填入绝缘层。之后，于第二沟槽的侧壁形成电荷阻挡层，及于第二沟槽的底部形成栅介电层。继之，于第二沟槽中填入控制栅极层。然后，于控制栅极层两侧的基底中形成第一掺杂区。

主权项

1、一种非挥发性存储器的制造方法，包括：提供一基底；于该基底中形成多个第一沟槽与多个第二沟槽，其中该些第二沟槽位于该些第一沟槽之上，并且横越该些第一沟槽；于各该第二沟槽的侧壁上依序形成一电荷穿隧层与一电荷储存层；于各该第一沟槽中填入一绝缘层；于各该第二沟槽的侧壁形成一电荷阻挡层，覆盖该电荷储存层；于各该第二沟槽的底部形成一栅介电层，该栅介电层至少覆盖位于相邻二该些第一沟槽之间的该基底；于各该第二沟槽中填入一控制栅极层；以及于该控制栅极层两侧的该基底中形成多个第一掺杂区。