发明名称 有源-矩阵寻址基板及其制造方法
摘要 本发明涉及一种有源矩阵寻址基板,用于改善由于像素电极和/或公共电极的台阶或水平差而引起的液晶分子的初始定向的退化。在第一绝缘层上或在第一绝缘层上方形成像素电极,以及在第二或第三绝缘层上形成公共电极。第二绝缘层由于它们附近的像素电极而具有台阶或水平差。第二绝缘层由在硬化之前具有流动性的介电材料制成,例如,丙烯酸树脂。第二绝缘层的台阶被减轻,得到了逐渐地倾斜的台阶。由于公共电极的重叠定向层的台阶也逐渐地倾斜。限定了像素电极的厚度、第二绝缘层的厚度和倾斜角、以及像素和公共电极的厚度。
申请公布号 CN1881053A 申请公布日期 2006.12.20
申请号 CN200610093796.5 申请日期 2006.06.19
申请人 NEC液晶技术株式会社 发明人 今野隆之
分类号 G02F1/1343(2006.01);G02F1/1333(2006.01);G02F1/1362(2006.01) 主分类号 G02F1/1343(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 关兆辉;陆锦华
主权项 1.一种有源矩阵寻址基板,包括:透明板;在该板上或在该板上方形成的扫描信号线和公共信号线;在该板上或在该板上方形成的第一绝缘层,以覆盖所述扫描信号线和所述公共信号线;在所述第一绝缘层上形成的图像信号线和像素电极;在所述第一绝缘层上形成的第二绝缘层,以覆盖图像信号线和像素电极;在所述第二绝缘层上形成的经构图的第三绝缘层,以有选择地覆盖图像信号线;以及在所述第三绝缘层上形成的公共电极;其中所述第二绝缘层由在硬化之前具有流动性的介电材料制成。
地址 日本神奈川县川崎市