多位存储单元及其制造方法及其操作方法

摘要

本发明提供一种多位存储单元的制造方法，首先，提供一具有介电层的半导体基底，介电层上形成有一栅极；接着，以栅极为掩模对半导体基底进行蚀刻以去除露出表面的介电层，且于栅极及半导体基底的表面上顺应性形成一氧化层；然后，于氧化层上顺应性形成一绝缘层，并对绝缘层进行蚀刻步骤以在栅极侧壁的氧化层外侧形成一间隙壁；并以栅极及间隙壁为掩模，对半导体基底进行离子注入步骤，以在半导体基底上形成一源漏极区；最后，在去除露出表面的氧化层之后，于露出表面的栅极及源漏极区的表面上形成一金属硅化物。

主权项

1.一种多位存储单元的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体上具有一介电层，且该介电层上形成有一栅极；以该栅极为蚀刻掩模，对该半导体基底进行蚀刻步骤以去除露出表面的该介电层；于该栅极及该半导体基底的表面上顺应性形成一氧化层；于该氧化层上顺应性形成一绝缘层，并对该绝缘层进行蚀刻步骤至露出该氧化层的表面为止，以在该栅极侧壁的该氧化层外侧形成一间隙壁；以该栅极及该间隙壁为掩模，对该半导体基底进行离子注入步骤，以在该半导体基底上形成一源漏极区，其中该源漏极区与该栅极正下方的沟道形成一既定距离；去除露出表面的该氧化层；及于露出表面的该栅极及该源漏极区的表面上形成一金属硅化物。