| 发明名称 | 半导体内连接结构的顶金属线上的保护结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关一种半导体内连接结构的顶金属线上的保护结构及其形成方法，其揭露了在一内连接结构的一顶金属线上形成一保护结构，特别是一种形成保护结构在一内连接结构的顶金属线上的方法，该方法至少包括以下步骤：提供一保护层于该顶金属线上；提供一电极开口或一连接垫于该顶金属线上的一保护层中；以及形成一贵重金属层的保护电极于该顶金属线上的该电极开口中。本发明结构在该顶金属线上的该保护层中提供一电极开口，以及在该顶金属线上的该电极开口中形成一保护电极，而可以排除经常存在于知铝焊垫中的高浓度氟，因此可避免焊垫结晶缺陷以及后续晶片封装过程中接合失败。 | ||
| 申请公布号 | CN1881557A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200610078791.5 | 申请日期 | 2006.05.11 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郭衣玲 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种形成保护结构在一半导体内连接结构的顶金属线上的方法，其特征在于该方法至少包括以下步骤：提供一保护层于该顶金属线上；提供一电极开口或一连接垫于该顶金属线上的一保护层中；以及形成一贵重金属层的保护电极于该顶金属线上的该电极开口中。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||