MAGNETORESISTIVE ELEMENT IN PARTICULAR MEMORY ELEMENT OR LOGIC ELEMENT AND METHOD FOR WRITING INFORMATION TO SUCH AN ELEMENT

摘要

Es werden ein magnetoresistives Element, insbesondere Speicherelement oder Logikelement, und ein Verfahren zum Schreiben von Informationen in ein derartiges Element vorgeschlagen. Das Element weist einen ersten Kontakt aus ferromagnetischem Material und eine zugeordnete Schicht aus magnetoelektrischem oder ferroelektrischem Material auf, wobei der erste Kontakt in Abhängigkeit von einer antiferromagnetischen Grenzflächenpolarisation der ersten Schicht magnetisch polarisiert wird. Diese magnetische Polarisation bildet eine binäre Information.