| 发明名称 |
Transistorstruktur unter Verwendung von Epitaxialschichten und Verfahren zur Herstellung derselben |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10215365(B4) |
申请公布日期 |
2006.10.05 |
| 申请号 |
DE2002115365 |
申请日期 |
2002.04.08 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
YOUN, JAE-MAN |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/10 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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