| 摘要 |
Es ist ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei der an einer Oberfläche eines Halbleiterchips eine integrierte Schaltung ausgebildet wird, an der Oberfläche eine metallische Schicht aufgebracht wird, die aus mehreren Teilbereichen besteht und die Oberfläche des Halbleiterchips nicht vollständig abdeckt, danach eine Passivierungsschicht mit zumindest einer Öffnung aufgebracht wird, durch die Öffnung ein Kontaktelement ausgebildet wird, das die Passivierungsschicht überragt und elektrisch leitend mit einem der Teilbereiche verbunden ist, und ein Randschutz an einem Randbereich an der Oberfläche zwischen integrierter Schaltung und Außenkante des Halbleiterchips ausgebildet wird, vorgesehen. |
