具有复合式衬垫的浅沟渠隔离组件的形成方法

摘要

本发明提供一种具有复合式衬垫的浅沟渠隔离组件的形成方法，它是在一半导体基底表面形成一垫氧化层与氮化硅掩膜层后，利用刻蚀技术形成浅沟渠，再在浅沟渠内表面依序沉积一氮化硅层及一原位蒸气产生(ISSG)氧化层，最后在浅沟渠中填满一层氧化物，以形成浅沟渠隔离组件。本发明的方法是可解决凹陷现象的问题，减少扭曲效应的产生，并以此增进组件电性。

主权项

1、一种具有复合式衬垫的浅沟渠隔离组件的形成方法，其硅包括下列步骤：提供一半导体基底，其上是依序沉积一垫氧化层与一氮化硅掩膜层；在该基底表面形成一图案化光阻层；以该图案化光阻层为掩膜，刻蚀该氮化硅掩膜层、垫氧化层与该基底，以形成浅沟渠，而后去除该图案化光阻层；在该半导体基底上形成一氮化硅层，使其覆盖该浅沟渠的表面；利用原位蒸气产生(ISSG)氧化技术，形成一ISSG氧化层覆盖在该浅沟渠内的该氮化硅层表面；以及形成一层氧化物在该半导体基底上，使其填满该浅沟渠，而后去除该半导体基底表面多余的该氧化物、该氮化硅层、氮化硅掩膜层与该垫氧化层，以形成浅沟渠隔离组件。