| 发明名称 | 用于铜和相关材料的改进的化学机械抛光组合物及其使用方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMP组合物，其包含流变剂以及例如氧化剂、鳌合剂、抑制剂、研磨剂和溶剂。这种CMP组合物有利地增加在CMP方法中的材料选择性，可用于抛光半导体衬底上铜元件的表面，而不会在抛光的铜内产生凹陷或其他不利的平坦化缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1787895A | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN200480012930.3 | 申请日期 | 2004.05.10 |
| 申请人 | 高级技术材料公司 | 发明人 | 迈克尔·达西罗;彼得·弗施卡;卡尔·博格斯 |
| 分类号 | B24D3/02(2006.01);B24B1/00(2006.01);C09C1/68(2006.01);C09K3/14(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/461(2006.01) | 主分类号 | B24D3/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;郭国清 |
| 主权项 | 1.一种用于平坦化铜薄膜的CMP组合物，包括研磨剂组分、流变剂和溶剂。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||