| 发明名称 | 金氧半导体晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种金氧半导体晶体管的制造方法，首先对已形成栅极及其侧壁的间隙壁的基底进行一源/漏极离子植入，在间隙壁侧边的基底内形成源/漏极区；接着在栅极与源/漏极区表面形成自行对准金属硅化层；随后去除部分间隙壁，以形成剖面大致呈三角形的一锐角间隙壁，再对基底进行倾斜角离子植入，在栅极侧边与锐角间隙壁下的基底内形成源/漏极延伸区，然后进行一热循环处理，以调整源/漏极延伸区的接合深度与掺杂轮廓。 | ||
| 申请公布号 | CN1259701C | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN01129650.X | 申请日期 | 2001.06.26 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖汉昭;林宏穗;卢道政 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：包括：提供一基底，该基底上已形成有一栅极，且该栅极侧壁已形成有一间隙壁；在该间隙壁侧边的该基底内形成一源/漏极区；在该栅极与该源/漏极区暴露出的表面上形成多个自行对准的金属硅化层；去除部分该间隙壁，使其成为一锐角间隙壁；对该基底进行一倾斜角离子植入，以在该栅极侧边与该锐角间隙壁下的该基底内形成一源/漏极延伸区。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||