| 发明名称 | 垂直磁记录介质 | ||
| 摘要 | 提供一种垂直磁记录介质，包括一在基材和垂直磁记录层之间的具有15nm或更大厚度的垂直磁增强层。 | ||
| 申请公布号 | CN1259652C | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN01145763.5 | 申请日期 | 2001.12.31 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李丙圭 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01);G11B11/10(2006.01) | 主分类号 | G11B5/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
| 主权项 | 1.一种垂直磁记录介质，其中具有15nm厚度或更大的垂直磁增强层被沉积在基材和垂直磁记录层之间，其中垂直磁增强层是由至少一种选自由Pt，Au，Pd和这些材料的合金组成的组中的材料制成的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||