一种一步法制备掺杂化合物薄膜的方法

摘要

本发明是一种一步法制备掺杂化合物薄膜的方法，即同时进行并完成化合物基质膜的合成和杂质原子的掺入。在ECR微波等离子体的辅助下，用一脉冲激光束烧蚀化合物基质膜的主源材料靶，在以反应脉冲激光沉积方式进行化合物基质膜合成沉积的同时，用另一脉冲激光束烧蚀杂质源材料靶，将杂质原子原位掺入基质膜层内。本发明作为一步法制备掺杂化合物薄膜的方法，利用两脉冲激光束对两个靶的共烧蚀和ECR微波等离子体的辅助，无需预先合成化合物基质，即能一步法制得掺杂薄膜，其中，低能等离子体束流的作用还促进膜层生长和杂质掺入。

主权项

1、一种一步法制备掺杂化合物薄膜材料的方法，其特征是将电子回旋共振微波放电即ECR微波放电和双激光束双靶共烧蚀脉冲激光沉积技术相结合，即采用ECR微波放电方法激活工作气体引发等离子体，在此活性气相环境中，用两束脉冲激光束烧蚀两个固体靶产生脉冲激光烧蚀等离子体，即PLA等离子体，在成膜腔中ECR微波等离子体和PLA等离子体交叠区的成膜腔中形成由ECR微波放电和脉冲激光烧蚀产生的包括活性膜物质和载能杂质原子的混合等离子体，其中的活性膜物质发生化合反应，在衬底合成沉积为化合物基质膜，载能杂质原子同时掺入基质膜层。