| 发明名称 | 深沟槽型功率MOS管静电保护结构制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法。首先淀积静电保护结构多晶硅，再形成静电保护结构中的一个PN结，在形成源的同时形成PN结的另一极，从而形成所需的静电保护结构，不必为形成静电保护结构而进行专门的光刻工序。可以减少工艺步骤，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1787193A | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN200410089229.3 | 申请日期 | 2004.12.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈志伟;居宇涵;缪进征 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在深沟槽型功率MOS的阱形成后，对硅表面进行氧化，形成氧化硅膜；第二步，在形成的氧化硅膜上淀积一层多晶硅膜；第三步，对形成的多晶硅膜进行全面的离子注入；第四步，对多晶硅膜刻蚀，去除静电保护结构区域以外的多晶硅膜；第五步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行光刻；第六步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行注入。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||