| 发明名称 | 微米和纳米级多相羟基氧化镍及其制备方法 | ||
| 摘要 | 微米和纳米级多相羟基氧化镍及其制备方法，涉及一种化合物，尤其是一种主要用于电池正极材料的化合物及其制备方法。提供一种储存性好、放电容量高、填充密度大的既含β相又含γ相的微米和纳米级多相羟基氧化镍及其制备方法，并应用于电池正极材料。其化学表达式为H<SUB>a</SUB>K<SUB>b</SUB>Na<SUB>c</SUB>(H<SUB>2</SUB>O)<SUB>d</SUB>Ni<SUB>x</SUB>M<SUB>1－x</SUB>O<SUB>2</SUB>，其步骤为由镍盐制备氢氧化镍前驱体，再由氢氧化镍制备多相羟基氧化镍。稳定性好，保持有γ相羟基氧化镍的稳定性，用作正极材料制成电池的储存性能好；放电容量大，多相羟基氧化镍可放出多于1个电子的反应，实测容量在261～360mAh/g之间；振实密度高，多相羟基氧化镍保持有β相羟基氧化镍的高密度，其实测密度在1.9～2.5g/cm<SUP>3</SUP>之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1787256A | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN200410100831.2 | 申请日期 | 2004.12.06 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 廖代伟;符显珠;李俊;林敬东 |
| 分类号 | H01M4/52(2006.01);H01M4/04(2006.01);C01G53/02(2006.01);C01G53/04(2006.01) | 主分类号 | H01M4/52(2006.01) |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人 | 马应森 |
| 主权项 | 1、微米和纳米级多相羟基氧化镍，其特征在于其化学表达式为： HaKbNac(H2O)dNixM1-XO2，其中：M为铝，钴，锰或锌中的至少一种；下标数字均代表摩尔比： 0＜a＜1， 0≤b＜1 0≤c＜2 0＜d＜1 0.67＜x≤1 | ||
| 地址 | 361005福建省厦门市思明南路422号 | ||